100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB59N10D is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 59A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 236A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **R_DS(on) (Max) at V_GS = 10V:** 0.023Ω  
- **R_DS(on) (Max) at V_GS = 4.5V:** 0.035Ω  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3600pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 110pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRFB59N10D is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in various electronic systems.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability.  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** to improve performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load conditions.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance** to ensure consistent operation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.