100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB4710 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.019Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFB4710 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, high current capability, and fast switching speeds, making it suitable for motor control, power supplies, inverters, and other high-power applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application considerations, refer to the official documentation.