100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB4610PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 36mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3600pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFB4610PBF is a high-current, high-voltage N-channel power MOSFET designed for applications requiring efficient power switching. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low gate charge for improved switching efficiency  
- High current handling capability  
- Low thermal resistance for better heat dissipation  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.