100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free Halogen Free TO-220AB package The IRFB4410ZGPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 96A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 380A  
- **Power Dissipation (PD):** 330W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 3.6mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 150nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 5400pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 900pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 90pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 18ns (typical)  
- **Rise Time (tr):** 45ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (tf):** 25ns (typical)  

### **Description:**  
The IRFB4410ZGPBF is a N-channel Power MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Robust and reliable construction  
- TO-220AB package for efficient thermal dissipation  
- Optimized for high-efficiency power conversion  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.