100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB4410PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **IR Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 96A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 380A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 330W  
- **RDS(ON) (Max) @ VGS = 10V:** 3.7mΩ  
- **RDS(ON) (Max) @ VGS = 4.5V:** 5.0mΩ  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (Min), 4V (Max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 300pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 46ns  
- **Rise Time (tr):** 35ns  
- **Fall Time (tf):** 20ns  

### **Descriptions:**  
- **Package:** TO-220AB  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Mounting Type:** Through Hole  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **RoHS Compliant:** Yes  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters:** Ensures reliable performance in switching circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters.