HEXFET Power MOSFET The IRFB4410 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRFB4410  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 96 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 380 A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330 W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.3 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Gate Charge (Q_g):** 170 nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 7200 pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRFB4410 is a high-power N-channel MOSFET designed for high-current switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current handling capability** (96 A continuous).  
- **Fast switching speed** for efficient power conversion.  
- **Avalanche energy rated** for rugged performance.  
- **TO-220 package** for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.