250V Single N-Channel Plasma Display Panel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB4332PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRFB4332PBF  

### **Description:**  
The IRFB4332PBF is a N-channel Power MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-state resistance (RDS(on)) and fast switching performance, making it suitable for applications like motor drives, power supplies, and inverters.

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 195A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 780A  
- **Power Dissipation (PD):** 580W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 3.2 mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 210nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 10400pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 3200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 220pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 28ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 110ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- **Low RDS(on) for High Efficiency**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- Motor Control  
- DC-DC Converters  
- Power Supplies  
- Inverters  
- High-Current Switching Circuits  

This information is based on the official Infineon datasheet for the IRFB4332PBF.