100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Halogen-Free package The IRFB4310ZGPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier). Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies (IR)  
- **Part Number:** IRFB4310ZGPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 250pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFB4310ZGPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance (R_DS(on)) and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Advanced Process Technology:** Improves efficiency and thermal performance.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.