100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Halogen-Free package The IRFB4310G is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRFB4310G  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 110nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**
- The IRFB4310G is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is optimized for fast switching performance in applications such as motor control, DC-DC converters, and power supplies.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **Pb-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.