200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB42N20DPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (IR)  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 168A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **R_DS(on) (Max) at V_GS = 10V:** 0.042Ω  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (Typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 1100mJ  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Efficiency:** Low R_DS(on) reduces conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized gate charge for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for reliable performance in harsh conditions.  
- **Applications:**  
  - Switching power supplies  
  - Motor control  
  - DC-DC converters  
  - Class D audio amplifiers  

This MOSFET is designed for high-power applications requiring efficient switching and thermal performance.