75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB3307PBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Here are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** VISHAY  
### **Part Number:** IRFB3307PBF  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 120A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 480A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 170nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 1.2J (single pulse)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRFB3307PBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power applications requiring low on-resistance and high current handling.  
- It is optimized for switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- High current capability for demanding power applications.  
- Fast switching performance.  
- Robust avalanche energy rating.  
- TO-220AB package for efficient thermal management.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. No additional suggestions or guidance are provided.

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB3307PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 120A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 480A  
- **R_DS(on) (Max):** 3.3mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 60A)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- **Technology:** N-channel HEXFET® Power MOSFET  
- **Application:** Designed for high-efficiency power switching applications.  
- **Optimized for:** Low conduction losses and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **Fast Switching:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.