75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB3207PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 210A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 840A  
- **Power Dissipation (P_D):** 580W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 7200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 2200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 180pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for high efficiency  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This MOSFET is designed for high-power applications such as motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

(End of factual information.)