200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB260NPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRFB260NPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 46A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 180A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.040Ω @ V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 120nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns  
- **Rise Time (t_r):** 56ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Efficiency:** Low on-resistance (R_DS(on)) reduces conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized gate charge for high-frequency applications.  
- **Robust Design:** Avalanche energy rated for rugged performance.  
- **Applications:** Suitable for switching power supplies, motor control, DC-DC converters, and inverters.  
- **RoHS Compliant:** Lead-free and meets environmental standards.  

This MOSFET is designed for high-power applications requiring efficient switching and thermal performance.