200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB260N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-to-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 46A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 180A  
- **Gate-to-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
The IRFB260N is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance, high-speed switching, and robust thermal performance, making it suitable for inverters, motor drives, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load switching.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  
- **TO-220 Package:** Ensures good thermal dissipation.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.