500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB18N50K is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.22Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFB18N50K is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is part of IR's HEXFET® family, offering low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Ensures low conduction and switching losses.  
- **Dynamic dv/dt Rating:** High resistance to voltage transients.  
- **Low Gate Charge:** Enables efficient high-frequency switching.  
- **Avalanche Energy Specified:** Provides robustness in rugged applications.  
- **TO-220 Package:** Standard through-hole mounting for easy integration.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching applications.