200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB17N20D is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **R_DS(on) (Max):** 0.12Ω (at V_GS = 10V, I_D = 8.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 50ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  

### **Descriptions:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Package:** TO-220AB  
- **Mounting Type:** Through Hole  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness.  
- **Fully Characterized Dynamic Performance:** Ensures reliable operation.  
- **Pb-Free and RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.