600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB16N60L is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 16A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (min)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Voltage Capability:** Designed for high-voltage switching applications up to 600V.  
- **Low On-Resistance:** Provides reduced conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized gate charge for high-speed switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in inductive load applications.  
- **TO-220 Package:** Standard through-hole package for easy mounting and heat dissipation.  
- **Applications:**  
  - Switch-mode power supplies (SMPS)  
  - Motor control  
  - Inverters  
  - Industrial and automotive systems  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.