500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB13N50A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFB13N50A is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency in power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances performance in high-frequency circuits.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness under inductive loads.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces false triggering risks.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is sourced from the manufacturer’s datasheet.