-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF9Z34NS is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -76A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = -10V:** 0.045Ω  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = -4V:** 0.060Ω  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Rise Time (t_r):** 35ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
The IRF9Z34NS is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-state resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load switching.  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for reduced drive requirements.  
- **TO-220AB Package** for easy mounting and thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and knowledge base.

-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package

-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF9Z34NS is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 76A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- The IRF9Z34NS is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load switching.  
- **Improved dv/dt Capability** for better noise immunity.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation** for reliable performance in various conditions.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation.

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