-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF9Z34NLPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about this component:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF9Z34NLPBF  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -55V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.1Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**
- **Advanced Process Technology:** Provides low on-resistance and high switching performance.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency switching applications.  

(Note: All details are based on the manufacturer's datasheet.)

-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF9Z34NLPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 76A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 44nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 520pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF9Z34NLPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for high-efficiency DC-DC converters, motor control, and other power switching applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **Fast switching speed** for improved efficiency  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness  
- **Lead-free and RoHS compliant**  
- **TO-220AB package** for easy mounting  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.