-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF9Z34N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 76A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.05Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  
- **Rise Time (t_r):** 20ns  
- **Fall Time (t_f):** 15ns  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching speeds for improved performance in high-frequency circuits.  
- Avalanche energy specified for ruggedness in inductive load applications.  
- TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.