-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF9Z24N is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -55V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.1Ω (at V_GS = -10V, I_D = -12A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 30nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF9Z24N is a high-performance P-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-state resistance (R_DS(on)), fast switching speeds, and rugged avalanche characteristics.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology** for efficient power handling  
- **Low Gate Charge** for reduced drive requirements  
- **Avalanche Energy Rated** for improved reliability  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is sourced from the official IR datasheet for the IRF9Z24N MOSFET.

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