-60V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF9Z24 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  
### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  
### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** -60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -19A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -76A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 150W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.060Ω (at VGS = -10V, ID = -19A)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 2200pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns  
- **Rise Time (tr):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns  
- **Fall Time (tf):** 20ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole)  
### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability  
- **Low On-Resistance (RDS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in switching applications  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt Ratings**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  
### **Applications:**  
- Power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Switching regulators  
- Battery management systems  
This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.