20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF8910 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)** (now part of Infineon Technologies)  

### **Part Number:**  
- **IRF8910**  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2V (max)  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low on-resistance and high efficiency  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in power applications  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for reduced drive requirements  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole Mounting)  

### **Typical Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management Circuits  
- Switching Regulators  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package