30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF8788 is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **IRF8788 Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF8788  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 180A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 720A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **R_DS(on) (Max):** 1.8mΩ @ V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 580W @ 25°C  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching performance.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with standard drive circuits.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF8788 Power MOSFET.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package