25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free SO-8 package designed for high efficiency DC-DC converters The IRF8252TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF8252TRPBF  

### **Description:**  
The IRF8252TRPBF is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power applications.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** Advanced HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 25V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 98A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.7mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Package:** D²PAK (TO-263)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Low Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management in Computing & Telecom  
- Synchronous Rectification  

This information is based on Infineon's datasheet and product documentation. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official datasheet.