100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak package The IRF8010STRLPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF8010STRLPBF is an N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is part of the HEXFET® Power MOSFET family, known for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.022Ω @ V_GS = 10V  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 48W @ 25°C  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)** surface-mount package  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in automotive and industrial systems  
- Switching regulators  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official Infineon documentation.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak package The IRF8010STRLPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IRF). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies (IRF)  
- **Part Number:** IRF8010STRLPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.027Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 75pF  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**
- **High Efficiency:** Low R_DS(on) reduces conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for reliability in harsh conditions.  
- **Logic-Level Compatible:** Can be driven by low-voltage gate drivers.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other power management circuits.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is designed for high-performance power applications requiring efficient switching and low power dissipation.