100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF8010PBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRF8010PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.027Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRF8010PBF is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 17A continuous drain current.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load switching.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to false triggering.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.