100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF8010 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 52A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.27Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 130pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns (typ)  

### **Descriptions:**
- The IRF8010 is an N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications.  
- It is built using advanced HEXFET® technology, providing low on-resistance and high efficiency.  
- Suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**
- **Low Gate Charge** for fast switching.  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance** to ensure reliable switching.  
- **TO-220AB Package** for easy mounting and heat dissipation.  

For exact performance characteristics, refer to the manufacturer's datasheet.