12V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7910 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
1. **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
2. **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
3. **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at 25°C)  
4. **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
5. **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
6. **On-Resistance (R_DS(on)):**  
   - 4.5mΩ (at V_GS = 10V)  
   - 6.0mΩ (at V_GS = 4.5V)  
7. **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
8. **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
9. **Mounting Type:** Through-Hole  
10. **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche energy specified for ruggedness in inductive load applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF7910. For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the official documentation.

12V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7910 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **IRF7910 Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Fully Characterized:** Dynamic dv/dt rating for improved reliability.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power supplies, and other high-current switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.