30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free SO-8 package The IRF7907 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) – 4V (max)  

### **Descriptions:**  
- The IRF7907 is an N-channel MOSFET designed for high-power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- The device is housed in a TO-220 package, providing efficient thermal management.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from Infineon Technologies.

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free SO-8 package