30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7904 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 130A at 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 520A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF7904 is designed for high-current, high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for automotive, industrial, and power management applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology** for low conduction losses.  
- **Low Gate Charge** for fast switching.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness.  
- **Fully Characterized for Dynamic dv/dt** to ensure reliability in high-speed switching.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant.**  

For exact performance characteristics, refer to the manufacturer's datasheet.

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package