30V FETKY The IRF7901D1TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** Power MOSFET (N-Channel)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **R_DS(on) (Max):** 2.1mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low Gate Charge (Q_G):** Enhances switching performance.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Improves ruggedness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 5V logic signals.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

30V FETKY The IRF7901D1TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IOR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IOR)  

### **Part Number:**  
IRF7901D1TRPBF  

### **Description:**  
The IRF7901D1TRPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance (RDS(on)), making it suitable for high-frequency switching applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Channel Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 200A  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 3.3 mΩ (max) @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate Charge (Qg):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 4200pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 1200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 500pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Package Type:** D2PAK (TO-263)  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Yes  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Low gate charge for improved efficiency in high-frequency applications  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.