30V FETKY The IRF7901D1 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IRF). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **IRF (International Rectifier)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.0085Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1900pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
- The IRF7901D1 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(on)) for efficient power handling.  
- Suitable for switching applications in DC-DC converters, motor control, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 30A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in transient conditions.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for space-constrained applications.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V FETKY The IRF7901D1 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3800pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** D²PAK (TO-263)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Robust and reliable for automotive and industrial applications.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet.

30V FETKY The IRF7901D1 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF7901D1  

### **Description:**  
The IRF7901D1 is a N-channel HEXFET® Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 28A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 112A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology for low on-resistance  
- Fast switching speed  
- High current capability  
- Low gate charge  
- 100% avalanche tested  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
- **Type:** D²PAK (TO-263)  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in computing and industrial applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR datasheet.

30V FETKY The IRF7901D1 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.023Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)**  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.