60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free SO-8 package The IRF7855TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF7855TRPBF is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** Advanced HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **R_DS(on) (Max):** 2.3mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm (8-pin)  
- **Low Gate Charge (Q_G):** 120nC (typical)  
- **Low Reverse Recovery Charge (Q_rr):** 100nC (typical)  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor drives  
- Power supplies  
- Synchronous rectification  
- Battery management systems  

This MOSFET is RoHS compliant and lead-free.  

(Note: All specifications are based on Infineon's datasheet and may vary under different operating conditions.)