100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free SO-8 package The IRF7853 is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF7853 is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** Advanced HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.8mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 270mJ  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6 (PowerQFN)  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Synchronous Rectification  
- Motor Control  
- Power Management in Computing & Telecom  

### **Additional Notes:**  
- Low conduction losses due to low R_DS(on)  
- Fast switching performance  
- Optimized for high-frequency switching applications  

For detailed specifications, refer to the official datasheet from Infineon Technologies.