30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7832 is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files regarding its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at T_C = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRF7832 is a high-performance N-channel MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It features ultra-low on-resistance (R_DS(on)) and high current-handling capability, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor drives, and synchronous rectification circuits.

### **Features:**
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low R_DS(on) and high efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

These details are based on the manufacturer's datasheet and publicly available specifications.