30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7828 is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF7828  

### **Description:**  
- The IRF7828 is a N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for high efficiency and low power dissipation in synchronous buck converters and other DC-DC applications.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 70A (continuous) at 25°C  
- **RDS(on) (Max):** 2.8 mΩ (at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V (max)  
- **Low Gate Charge (Qg):** 38nC (typical)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **100% Rg and UIS Tested**  
- **Pb-Free and RoHS Compliant**  

### **Package:**  
- **Package Type:** PQFN 5x6 (PowerQFN)  
- **Lead-Free and Halogen-Free**  

### **Applications:**  
- Synchronous Buck Converters  
- DC-DC Power Supplies  
- Motor Control  
- Power Management in Computing and Telecom Systems  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7828 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7828  

### **Description:**  
The IRF7828 is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** Advanced HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 84A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 330A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.7mΩ (at V_GS = 10V)  
- **R_DS(on) (Max):** 2.2mΩ (at V_GS = 4.5V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Synchronous rectification  
- Motor control  
- Power management in computing and telecom systems  

### **Additional Notes:**  
- Low gate charge (Q_g) for reduced switching losses  
- Optimized for high-frequency switching applications  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRF7828. For detailed specifications, refer to the official documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package