30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free SO-8 package designed and qualified for the consumer market The IRF7821UPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7821UPBF  

### **Description:**  
The IRF7821UPBF is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 44A  
- **RDS(ON) (Max) @ VGS=10V:** 8.5mΩ  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min), 2.0V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 60pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 32ns  
- **Rise Time (tr):** 8ns  
- **Fall Time (tf):** 12ns  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low RDS(ON) and high switching speed.  
- **Low Gate Charge:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensured ruggedness in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for efficient PCB space utilization.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, battery management, and load switching circuits.