30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7811WPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
- The IRF7811WPBF is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It is optimized for low-voltage, high-current switching applications.  
- The PowerPAK® SO-8 package offers improved thermal performance and reduced PCB space.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance for high-frequency applications.  
- Lead-free and RoHS-compliant.  
- Enhanced thermal characteristics due to PowerPAK® package design.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

This information is strictly factual and derived from the manufacturer's datasheet.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7811WPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7811WPBF  

### **Description:**  
The IRF7811WPBF is a N-Channel MOSFET designed for power management applications. It is optimized for high efficiency and low power dissipation in DC-DC converters, synchronous rectification, and other switching applications.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** Advanced TrenchFET technology  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **R_DS(on) (Max):** 6.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Low Gate Charge (Q_G):** 12nC (typical)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Synchronous Rectification  
- Motor Control  
- Power Management in Portable Devices  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package