30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7811W is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **IR Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  

### **Descriptions:**  
- The IRF7811W is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for low-voltage, high-current applications, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- The device is housed in a compact SO-8 package for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in demanding conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental compliance.  
- **Logic-Level Gate Drive** for compatibility with 5V microcontroller interfaces.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.