30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7811AV is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.011Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 11nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 45pF  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**
- **Advanced HEXFET® Technology:** Provides low on-resistance and high efficiency.  
- **Optimized for High-Frequency Switching:** Suitable for DC-DC converters and power management applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching performance and reduces drive losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Package Type:** SO-8 (Small Outline-8) for space-constrained applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.