28V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7811A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Descriptions:**  
- The IRF7811A is a HEXFET® Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for low voltage, high-speed switching applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 42A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.013Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology for low on-resistance.  
- High current handling capability.  
- Fast switching speed.  
- Low gate charge for improved efficiency.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.