30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7809AV is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRF7809AV  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
The IRF7809AV is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching and amplification in power circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current capability  
- Robust and reliable construction  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power supplies  

For detailed application notes or additional parameters, refer to the official datasheet from International Rectifier.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package