**Part Number:** IRF7807ZTRPBF  

**IR Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.35V (min), 2.35V (max)  

**Descriptions and Features:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Package:** PQFN 5x6mm  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power conversion  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications  
- **Avalanche Rated:** Robust performance under transient conditions  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
- **Applications:** DC-DC converters, motor control, power management, and synchronous rectification.  

(Data sourced from Infineon Technologies' official documentation.)