Leaded 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7807ZTR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
1. **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
2. **Continuous Drain Current (I_D):** 62A  
3. **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
4. **Power Dissipation (P_D):** 200W  
5. **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
6. **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ @ V_GS = 10V  
7. **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
8. **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF7807ZTR is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching performance.  
- The device is optimized for synchronous rectification in DC-DC converters and motor control applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** for power-intensive applications.  
- **Avalanche rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-free and RoHS compliant** for environmental safety.  
- **Optimized for high-frequency switching** in power supplies and motor drives.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Leaded 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Leaded 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7807ZTR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 4.5mΩ  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 4.5V:** 6.0mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  

### **Descriptions:**  
- The IRF7807ZTR is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(on)) and high current handling capability.  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters, motor control, and power management applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low R_DS(on) and high switching performance.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in high-energy environments.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Low Gate Charge (Q_G):** Reduces switching losses.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF7807ZTR Power MOSFET.

Leaded 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package