30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7807VPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF7807VPBF is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is part of Infineon’s HEXFET® Power MOSFET series, optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- Synchronous Rectification  

### **Additional Notes:**  
- Low gate charge for improved switching efficiency.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in inductive load applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product specifications.