30V FETKY The IRF7807VD1 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.3mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 580pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF7807VD1 is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current handling, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-power applications.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- High current capability.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
- TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation.  

These details are based on Infineon's official datasheet for the IRF7807VD1.