30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7807V is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **R_DS(on) (Max):** 8.0 mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
The IRF7807V is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-state resistance (R_DS(on)) and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in various power circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability for power applications  
- Fast switching performance  
- Enhanced avalanche ruggedness  
- Pb-free and RoHS compliant  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRF7807V.