30V FETKY The IRF7807D1TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7807D1TRPBF  

### **Description:**  
The IRF7807D1TRPBF is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low on-state resistance (R_DS(on)) and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.3mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 130W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature Range (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** D2PAK (TO-263)  
- **Termination:** Surface Mount (SMD)  
- **Pin Count:** 3  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in computing and telecom systems  
- Synchronous rectification  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IRF7807D1TRPBF.

30V FETKY The IRF7807D1TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF7807D1TRPBF is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is part of Infineon’s HEXFET® Power MOSFET series, optimized for low on-resistance and fast switching performance.

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D²PAK (TO-263)  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Improved thermal performance due to advanced packaging  
- 100% avalanche tested for ruggedness  
- RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power management applications such as DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  

(Note: All details are based on Infineon’s official datasheet.)